МЕТОДИЧНІ УМОВИ ВИВЧЕННЯ МЕХАНІЗМІВ ВПЛИВУ РУХОМИХ ДИСЛОКАЦІЙ НА ВЛАСТИВОСТІ КРИСТАЛІЧНИХ ОБ’ЄКТІВ
DOI:
https://doi.org/10.32626/2307-4507.2009-15.127-129Анотація
Розроблено методику вивчення деградуючої дії УЗ обробки на випромінювальну рекомбінацію у світлодіодних структурах, розглянуто особливості подання матеріалу, який стосується наслідків УЗ-обробки кристалів - виникнення окремих дислокацій та дислокаційних сіток за моделлю Франка-Ріда.
Ключові слова: методичні умови, кристалічні об’єкти, дислокації, дислокаційні сітки.
The method of study of degrading action of BONDS of treatment is developed on radiate rekombinatsiyu in svitlodi-odnikh structures, the features of presentation to material which touches the consequences of UZ-OBROBKI of crystals - origin of separate distributions and dislokatsiynikh nets after the model of Franka-rida are considered.
Key words: methodical terms, crystalline objects, distributions, dislocation nets.
Посилання
Вавилов В.С. Действие излучений на полупроводники. -М.: ФМ., 1963. - 264 с.
Физические процессы в облученных полупроводниках / Под ред. проф. Л.С.Смирнова. -М.: Наука, 1977. - 320 с.
Коршунов Ф.П., Гатальский Г.В., Иванов Г.М. Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах. - Минск: Наука и техника, 1978. - 231 с.
Land D.V., Kimmerling L.C. Observation of a thermal defect annealing in GaP // Appl. Phys.Lett. - 1976. - 28. - №5. -248-250 pp.
Вавилов В.С., Кекслидзе Н.П., Смирнов Л.С. Действие излучений на полупроводники. - М.: Наука, 1988. - 191 с.
Gontaruk O.M., Khivrijch V. I., Pinkovska M.B., Tartachnyk V.P., Olich Ya. M., Vernidub R.M., Opilat V.Ya. Ultrasound influence on exiton emission of GaP light diodes. Semiconductor Physics. Quantum Electronics, v.6,№2, p. 223-226, 20003.
Гонтарук А.М., Корбутяк Д.В., Корбут Е.В., Мачулин В.Ф., Олих Я.М. Тартачник В.П. О влиянии ультразвука на дегра-дационно-релаксионные явления в светоизлучающих р-n структурах // Письма в ЖТФ. - Т.24. - №5. - 1998. - С.64-68.
Gontaruk O.M., Kruvutenko A. M., Petrenko I.V., Tartachnyk V.P., Olich Ya. M., Vernidub R.M., Opilat V.Ya., Pinkovska M.B. Radiation-Acoustic TTreatment of GaP light diodes. Fourth Int. conf. on Mat. Properties for Infrared Optoelectronics. 29-02 oktober, 1998, Kyiv, (Ukraine) - Proc. SPIE, 1999, V.3890, pp.559-563.
Китель Ч. Элементарная физика твердого тела. - М.: Наука, 1965. - 366 с.
Чэрт Ч., Томсон Р. Физика твердого тела. - М.: Мир. - 558 с.
